产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5086BU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 150 @ 100µA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 40MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0805Y821MXCAC
VJ0805Y821MXCMC
VJ0805A471KXAAC
CL32B102KJFNNWE
1206N2R7B102CT
1206N220F101CT
1206N100F101CT
1206N680F101CT
1206N5R6C202CT
1206N470F101CT
1206N101F101CT
1206N330F101CT
1206N180F101CT
0805N222F500CT
1206N112J500CT
1206N270F101CT
1206N120F101CT
1206N820F101CT
1206N6R8C202CT
1206N390F101CT
