产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC558
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 650mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 110 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5335B-B12946-GM
SI5335D-B12637-GM
SI5335B-B11437-GM
SI5335D-B11939-GM
SI5335B-B11634-GM
SI5335D-B11260-GM
SI5335B-B11534-GM
SI5335B-B12513-GM
SI5335D-B12741-GM
SI5335B-B12240-GM
SI5335B-B11837-GM
SI5335D-B13363-GM
SI5335D-B11551-GM
SI5335D-B13103-GM
SI5335D-B13576-GM
SI5335D-B13366-GM
SI5335B-B11535-GM
SI5335D-B13805-GM
SI5335B-B13851-GM
SI5335D-B13437-GM
