产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N4125_S00Z
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 50 @ 2mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y006249R8500T0L
Y006249R8500T9L
Y006249R9000T0L
Y00624K02000T0L
Y00624K30000T9L
Y00624K48800T0L
Y00624K55000T9L
Y00624K55550T0L
Y00624K55550T9L
Y0062500R000T14L
Y0062555R440T9L
Y0062557R400T9L
Y0062596R980T9L
Y00625K00500T9L
Y00625K54610T9L
Y00625K55600T9L
Y006260R4000T14L
Y0062612R000T9L
Y006262R5000T0L
Y0062680R000T9L
