产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MPSW05G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 10mA，250mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 250mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92（TO-226）
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长体
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73C1J806RBTDF
RN73C1J845RBTDF
RN73C1J866RBTDF
RN73C1J909RBTDF
RN73C1J931RBTDF
RN73C1J953RBTDF
RN73C1J976RBTDF
RN73C1J1K05BTDF
RN73C1J1K07BTDF
RN73C1J1K13BTDF
RN73C1J1K15BTDF
RN73C1J1K18BTDF
RN73C1J1K21BTDF
RN73C1J1K24BTDF
RN73C1J1K27BTDF
RN73C1J1K37BTDF
RN73C1J1K4BTDF
RN73C1J1K43BTDF
RN73C1J1K47BTDF
RN73C1J1K54BTDF
