文档与媒体
- 数据列表
- 2SD19960SA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 20mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 300 @ 500mA,2V
- 供应商器件封装 :
- MT-1-A1
- 功率 - 最大值 :
- 600 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 3-SIP
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R1ETTP2341C50
RN73R1ETTP55R6B50
RN73R1ETTP1290C50
RN73R1ETTP4870B50
RN73R1ETTP5970C50
RN73R1ETTP3480B50
RN73R1ETTP2711B50
RN73R1ETTP8350B50
RN73R1ETTP1652B50
RN73R1ETTP3361C25
RN73R1ETTP1073B50
RN73R1ETTP1110B50
RN73R1ETTP2051C50
RN73R1ETTP47R0C25
RN73R1ETTP2871C50
RN73R1ETTP1820C25
RN73R1ETTP8980B50
RN73R1ETTP89R8C25
RN73R1ETTP2370B50
RN73R1ETTP8982B50
