文档与媒体
- 数据列表
- 2SD19960SA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 20mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 300 @ 500mA,2V
- 供应商器件封装 :
- MT-1-A1
- 功率 - 最大值 :
- 600 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 3-SIP
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73G2ATTD2493B
RS73G2ATTD17R8C
RS73F2ATTD2431B
RS73G2ATTD1241B
RS73G2ATTD3922B
RS73G2ATTD22R6B
RS73G2ATTD33R0C
RS73G2ATTD2401C
RS73G2ATTD1000C
RS73F2ATTD3090B
RS73G2ATTD1653C
RS73G2ATTD1202C
RS73G2ATTD22R1B
RS73G2ATTD1051C
RS73G2ATTD1741B
RS73G2ATTD6340C
RS73G2ATTD14R3C
RS73G2ATTD2492C
RS73G2ATTD1403B
RS73G2ATTD5111C
