文档与媒体
- 数据列表
- 2SB0709ARL
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 210 @ 2mA，10V
- 供应商器件封装 :
- 迷你型3-G1
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100µA
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
E2E-S04N02-WC-B1 5M
E2E-S04N02-WC-B2 5M
E2E-S04N02-WC-C1 5M
E2E-S04N02-WC-C2 5M
E2E-S05N03-WC-B1 5M
E2E-S05N03-WC-B1-R 2M
E2E-S05N03-WC-B2 5M
E2E-S05N03-WC-B2-R 2M
E2E-S05N03-WC-C1 5M
E2E-S05N03-WC-C2 5M
E2E-S05N03-WC-C2-R 2M
E2E-S05S12-MC-C2
E2E-X10MC2L12-M1TJ 0.3M
E2E-X10MC212-R 5M
E2E-X10MC1L12-M1TJ 0.3M
E2E-X10MC112-R 5M
E2E-X10MC3L12-M1TJ 0.3M
E2E-X10MC312-R 5M
E2E-X10MB2L12-M1TJ 0.3M
E2E-X10MB212-R 5M
