文档与媒体
- 数据列表
- 2SA11100Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 30mA，300mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 90 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-126B-A1
- 功率 - 最大值 :
- 1.2 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-225AA，TO-126-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 120 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
R5F10RBCGFP#V0
R5F10RJ8GFA#V0
R5F10RJAGFA#V0
R5F10RJCGFA#V0
ATSAML10E14A-UUT
ATSAML10E15A-UUT
ATSAML10E16A-UUT
ATSAML11E14A-UUT
ATSAML11E15A-UUT
ATSAML11E16A-UUT
MB96F338USAPMC-GS-N2K5E2
EFM32G200F64-QFN32
EFM32G230F64-QFN64
EFM32G232F64-QFP64
EFM8SB20F32G-A-QFN32R
R5F564MFDDFC#31
R5F564MFHDFC#31
R5F564MGCDFC#31
R5F564MGDDFC#31
R5F564MGGDFC#31
