文档与媒体
- 数据列表
- 2SB0709A0L
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 160 @ 2mA，10V
- 供应商器件封装 :
- 迷你型3-G1
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100µA
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MBR20150PT-BP
MBR2060PT
VS-MBRB4045CTRHM3
VS-30CTQ035STRLHM3
VS-30CTQ035STRRHM3
VS-30CTQ040STRLHM3
VS-30CTQ040STRRHM3
VS-30CTQ045STRLHM3
VS-30CTQ045STRRHM3
MBR3035PT-E3/45
LQA32T300C
VI40150C-E3/4W
VS-60CTQ035-M3
VS-60CTQ040-M3
MBR2550CT
VBT4060C-M3/8W
VBT4060C-M3/4W
VBT4045C-E3/4W
MUR6040PTS-BP
VS-42CTQ030STRLHM3
