产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N4125BU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 50 @ 2mA,1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 200 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 50nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR33BX104AKNP-ZANAA
CDR33BX104AKNM-ZANAA
CDR33BX104AKNR-ZAHAA
CDR33BX104AKNS-ZAHAA
CDR33BX104AKNS-ZANAA
CDR33BX223BKNM
2220J0100562FCT
2220J0160562FCT
2220J0250562FCT
2220J0500562FCT
2220J0630562FCT
2220J1000562FCT
2220J1K00562FCT
2220J2000562FCT
2220J2500562FCT
2220J5000562FCT
2220J6300562FCT
2225Y4K00331JCT
CKC33C154JWGAC7210
CKC33C104JWGAC7210
