产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N3439U4/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 4mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 40 @ 20mA,10V
- 供应商器件封装 :
- U4
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD,无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 350 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 2µA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1812Y0500273KAT
1812Y0630273KAT
1812Y1000273KAT
MR065E105MAA
CKC18X223FCGAC7800
1210J0500820FAT
1210J0630820FAT
1210J1000820FAT
1210J1K00820FAT
1210J2000820FAT
1210J5000820FAT
1210J6300820FAT
CKC21X562FCGAC7800
CKC21X512FWGAC7800
1812J0500273KAT
1812J0630273KAT
1812J1000273KAT
1825Y0100102GCT
1825Y0100122GCT
1825Y0160102GCT
