产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N3501UB/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 15mA,150mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 150mA,10V
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD,无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 150 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 300 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
2225J2000152KFR
2225J2000152KFT
2225J2000153FCR
2225J2000153FFR
2225J2000153FFT
2225J2000153GCR
2225J2000153GFR
2225J2000153GFT
2225J2000153JCR
2225J2000153JFR
2225J2000153JFT
2225J2000153KCR
2225J2000153KFR
2225J2000153KFT
2225J2000154JDR
2225J2000154JDT
2225J2000154JXR
2225J2000154KDR
2225J2000154KDT
2225J2000154KXR
