产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1188T100P
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 800mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 82 @ 500mA，3V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MSASJ105SB5225MFNA01
MLRLA103SC6224MFNA01
MLAST105AC6105MFNA01
MLAST219JB5225KTNA01
MSAST219JB5225KTNA01
MLAST219JB5225MTNA01
MLASJ105SB5225MFNA01
YV102103Z100D20C5H
YP0AH221K060L20C0B
GRM2165C1H241GA01J
GCG188L8EH154KA07J
GCG1885G2A100GA01J
08051C332K4T4A
CC1206JPNPO0BN222
08051C332K4T2A
08051C822K4T2A
08053C103K4T2A
08055A220J4T2A
08055C682K4T2A
0805YC103K4T2A
