文档与媒体
- 数据列表
- PBSS5420D,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 420mV @ 600mA，6A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2A，2V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSOP
- 功率 - 最大值 :
- 1.1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-74，SOT-457
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 4 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR32BP102BJZPAR
CDR32BP102BJZRAB
CDR32BP102BJZRAC
CDR32BP102BJZRAJ
CDR32BP102BJZRAP
CDR32BP102BJZRAR
CDR32BP102BJZSAB
CDR32BP102BJZSAC
CDR32BP102BJZSAJ
CDR32BP102BJZSAP
CDR32BP102BJZSAR
CDR32BP102BKMMAB
CDR32BP102BKMMAJ
CDR32BP102BKMMAR
CDR32BP102BKMMAT
CDR32BP102BKMPAB
CDR32BP102BKMPAJ
CDR32BP102BKMPAR
CDR32BP102BKMPAT
CDR32BP102BKMRAB
