产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1188-Q-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 800mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 82 @ 500mA，3V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
2220Y1K00682KCT
2220Y2000682KCT
2220Y2500682KCT
2220Y5000682KCT
2220Y6300682KCT
1206J0250824KXT
1808Y0500273JCT
1808Y0630273JCT
2211JA250180GKTSYX
2211JA250150GKTSYX
2211JA250270GKTSYX
2211JA250220GKTSYX
1808YA250390FKRUYS
1808J6300222FCT
1825Y0160473KXT
1825Y0160563KXT
1825Y0250473KXT
1825Y0250563KXT
1825Y0500473KXT
1825Y0500563KXT
