文档与媒体
- 数据列表
- PBSS5240T-QR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 350mV @ 200mA,2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 300 @ 100mA,2V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 40 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
T496D336K010AT
T496D336K016AT
T496D475K035ATE1K5
T496D476K010ATE1K0
T496D685K035AT
T496D685K035ATE1K3
T496D476K016ATE800
T496D106K035ATE400
T355B225K025AT
T351C225K035AT
T351B225K025AT
T352C225K035AT
T351B105K050AT
T354C225K035AT7301
T354B105K050AT
T494D157M010AT
TPSC686K016K0125
TPSD227K006Y0050
T491D686K016AT24787027
T495X685K035ATE300
