文档与媒体
- 数据列表
- PBSS8110T-QR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 100mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 150 @ 250mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA0603H183KXAAP31G
GA0603H183KXXAC31G
GA0603H183KXXAP31G
GA0603H183MBAAR31G
GA0603H183MBAAT31G
GA0603H183MBXAR31G
GA0603H183MBXAT31G
GA0603H183MXAAC31G
GA0603H183MXAAP31G
GA0603H183MXXAC31G
GA0603H183MXXAP31G
GA0603H222JBAAR31G
GA0603H222JBAAT31G
GA0603H222JBBAR31G
GA0603H222JBBAT31G
GA0603H222JBXAR31G
GA0603H222JBXAT31G
GA0603H222JXAAC31G
GA0603H222JXAAP31G
GA0603H222JXBAC31G
