文档与媒体
- 数据列表
- BCP51TF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 63 @ 150mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 1.3 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
73M3BR056F
73M3BR062F
73M3BR068F
73M3BR075F
73M3BR082F
73M3BR091F
73M3BR100F
M55342H03B100BRT1
M55342H03B11B7RT1
M55342H03B1B00RT1
M55342H03B215ART1
M55342H03B2B21RT1
M55342H03B13B3RT1
M55342H03B12B7RT1
M55342H03B14B0RT1
M55342H03B145BRT1
M55342H03B15B8RT1
M55342H03B221BRT1
M55342H03B280ART1
M55342H03B33B2RT1
