产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SBCW33LT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 500µA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y0060350R000Q0L
Y00602K15000Q0L
RLR05C4R75FSRSL19
RLR05C4R75FRRSL19
RLR05C5R62FSRSL19
RLR05C5R90FSRSL19
RLR05C6R81FRRSL19
RLR05C4R99FSRSL19
RLR05C1004GMR36
RLR05C1004GMRE8
RLR05C8203GRR36
RLR05C1004GPR36
RLR05C1004GRRE8
RLR05C1004GPRE8
RLR05C1004GRR36
RLR05C9103GRR36
RLR05C9103GPR36
RLR05C9103GRRE8
RLR05C8203GMRE8
RLR05C8203GRRE8
