产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SA1312GRTE85LF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，6V
- 供应商器件封装 :
- S-Mini
- 功率 - 最大值 :
- 150 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 125°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 120 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MKP385620040JYP2T0
MKP385536125JYI2T0
MKP385536125JYM2T0
MKP385536125JYP2T0
MKP385547100JYI2T0
MKP385547100JYM2T0
MKP385547100JYP2T0
F339MX263531KYI2T0
F339MX263531KYM2T0
F339MX263531MYI4T0
F339MX263531MYI5T0
F339MX263531MYM4T0
F339MX263531MYM5T0
PMB1854470KSL
PMB1854470KFR
PMB1854470KVP
PMB1854470KVR
PMB1854470KFP
MKP386M520100JT3
MKP386M522085JT6
