产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BCW61AE6327HTSA1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 550mV @ 1.25mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT23
- 功率 - 最大值 :
- 330 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 20nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5341B-D11972-GMR
SI5341B-D11928-GMR
SI5341B-D11677-GMR
SI5341B-D13453-GMR
SI5341B-D14210-GMR
SI5341B-D12168-GMR
SI5341B-D12111-GMR
SI5341B-D12403-GMR
SI5341B-D13937-GMR
SI5341B-D13173-GMR
SI5341B-D11564-GMR
SI5341B-D12831-GMR
SI5341B-D12553-GMR
SI5341B-D13981-GMR
SI5341B-D14177-GMR
SI5341B-D13545-GMR
SI5341B-D12442-GMR
SI5341B-D11660-GMR
SI5341B-D12295-GMR
SI5341B-D12348-GMR
