文档与媒体
- 数据列表
- BC857BQAZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 220 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- DFN1010D-3
- 功率 - 最大值 :
- 280 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-XDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
0603YC472K4T2A
06035A5R6C4T2A
CC0805KKX7R9BB274
C0805C120J8GAC7800
CC1206JRNPO0BN182
1206N472J500CT
1206N392J500CT
MLASE319HB5225MTNA01
MLASE319HB5225KTNA01
MSASE319HB5225MTNA01
MSASE319HB5225KTNA01
C1206X222K631T
CC0805JKNPOZBN102
GRM219R71C224KA01J
GRM2165C1H121GA01J
GRM2165C1H181GA01J
GRM1885C2A1R0CA01J
GRM1885C2A2R0CA01J
GRM1885C2A3R0CA01J
GRM1885C2A4R0CA01J
