产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT1815-H-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- -
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 125°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 150 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
BDHE002012102R2MQ1
WLPMA0A040MR47LC
AWVS005050201R0T00
BWQV004532265R6M00
ASPI-0403H-390K-T
B82422A3151J100
CW201212-39NG
MDKK2020TR68MMV
LMLP07A7MR82DTAS
SC0912220K
AWVS005050201R5T00
BWQV00453226150J00
ASPI-0403H-560K-T
B82422A3180J100
CW201212-47NG
MDKK2020TR47MMV
CW160808-15NG
SC0912102K
AWVS00505040150M00
BWQV00453226561K00
