文档与媒体
- 数据列表
- BC857AQB-QZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 650mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 125 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- DFN1110D-3
- 功率 - 最大值 :
- 340 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装,可润湿侧翼
- 封装/外壳 :
- 3-XDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C317C470J2G5TA7301
GRM155R71A474ME01D
CGA5K4X7R2J223K130AE
C967U682MYVDBA7317
C1206C271J2GAC7800
LMF316B7474KLHT
GQM1875C2E560JB12D
C3225X7R1H155M200AA
CGA4J3X8R1C105M125AD
06031A390FAT2A
C2012X5R1V155K125AB
CGA5C2NP01H103J060AA
06031A240FAT2A
C1608JB1A685K080AC
C0805F104K5RAC3123
CGJ4J2X7R1C105K125AA
06033C474JAT2A
SR151A820JARTR1
FA14X8R1E334KNU06
C3216X8R1H474M160AA
