文档与媒体
- 数据列表
- BC856W-QX
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 600mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 125 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-323
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70,SOT-323
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
BZV55-B68,115
BZV55-B75,115
SZMM3Z16VT3G
SZMM3Z2V7T3G
BZT585B5V6TQ-13
BZT585B3V6TQ-13
BZT585B3V9TQ-13
BZT585B7V5TQ-13
BZT585B2V4TQ-13
BZT585B6V8TQ-13
BZT585B6V2TQ-13
1N5223B BK TIN/LEAD
1N5230B BK TIN/LEAD
1N5233B BK TIN/LEAD
BZX585-C2V7,135
BZX585-C3V0,115
BZX585-C3V0,135
BZX585-C11,115
BZX585-C11,135
BZX585-C10,135
