文档与媒体
- 数据列表
- BC858CW_R1_00001
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-323
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70，SOT-323
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GCD216R71H122KA01J
GCD216R71H272KA01J
GCD21BC71C474KE01K
GCD216R71H332KA01J
GCE21BR72A104KA01K
GCD216R71H152KA01J
GRJ21BR71H474ME01K
GRJ188R70J225ME11J
GRJ21BR71H224KE01K
GRJ21BR71H224ME01K
GRJ188R70J225KE11J
GCD216R71H472MA01J
CC0603JPNPO7BN332
GCJ188L81H153KA01J
GCJ188L81H223KA01J
LLL185R71C103MA01K
08052A110JAT2A
08052A130JAT2A
08052A160JAT2A
08052A200JAT2A
