产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSS20601CF8T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 130mV @ 400mA，4A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 1A，2V
- 供应商器件封装 :
- ChipFET™
- 功率 - 最大值 :
- 830 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SMD，扁平引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 6 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C1206X103J4RECAUTO
C1206X153J4RECAUTO
C1206X223J4RECAUTO
C1206X333J4RECAUTO
C1206X224J4RECAUTO
C1206X102J3RECAUTO
C1206X152J3RECAUTO
C1206X222J3RECAUTO
C1206X332J3RECAUTO
C1206X472J3RECAUTO
C1206X682J3RECAUTO
C1206X103J3RECAUTO
C1206X153J3RECAUTO
C1206X223J3RECAUTO
C1206X333J3RECAUTO
C1206X224J3RECAUTO
C1206X102J5RECAUTO
C1206X152J5RECAUTO
C1206X222J5RECAUTO
C1206X332J5RECAUTO
