产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SC3649S-TD-E
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 450mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 100mA，5V
- 供应商器件封装 :
- PCP
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1.5 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C430C123J2G5TA
C430C123JAG5TA
C317C820J2G5TA
C322C820J5G5TA
C317C820J1G5TA
C315C820J1G5TA
C317C680J1G5TA
CC1206JKNPODBN820
FG26C0G2J391JNT00
FG28C0G1H822JNT00
FG24X7R2E153KNT00
FG18X5R1E335KRT00
FA18C0G2A561JNU00
C1206X104K3RAC7800
C0603X112G4JAC7867
C0603X112G8JAC7867
C0603X123G4JAC7867
C0603X132G4JAC7867
C0603X132G8JAC7867
C0603X162G4JAC7867
