产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- ZXTN5551GTA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223-3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 130MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73S2E1RTTD41R2F
SG73S2E1RTTD435G
SG73S2E1RTTD80R6F
SG73S2E1RTTD1212F
SG73S2E1RTTD2491F
SG73S2E1RTTD1050F
SG73S2E1RTTD6042F
SG73S2E1RTTD1473F
SG73S2E1RTTD12R4F
SG73S2E1RTTD2201F
SG73S2E1RTTD3300F
SG73S2E1RTTD3741F
SG73S2E1RTTD1270F
SG73S2E1RTTD20R0F
SG73S2E1RTTD3402F
SG73S2E1RTTD2613F
SG73S2E1RTTD2000F
SG73S2E1RTTD15R0F
SG73S2E1RTTD754G
SG73S2E1RTTD9532F
