产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NJVMJD44H11G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 400mA，8A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 40 @ 4A，1V
- 供应商器件封装 :
- DPAK
- 功率 - 最大值 :
- 1.75 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 8 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA
- 频率 - 跃迁 :
- 85MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012N-4023-C-T5
RG2012N-4123-C-T5
RG2012N-4223-C-T5
RG2012N-4323-C-T5
RG2012N-4423-C-T5
RG2012N-4533-C-T5
RG2012N-4643-C-T5
RG2012N-4753-C-T5
RG2012P-470-C-T5
RG2012P-510-C-T5
RG2012P-560-C-T5
RG2012P-620-C-T5
RG2012P-680-C-T5
RG2012P-750-C-T5
RG2012P-820-C-T5
RG2012P-910-C-T5
RG2012P-101-C-T5
RG2012P-111-C-T5
RG2012P-121-C-T5
RG2012P-131-C-T5
