产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC857BT116
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 210 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SST3
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RLR32C8253FPRSL
RLR32C8253FRRSL
RLR32C8663FRRSL
RLR32C8873FMRSL
RLR32C9093FMRSL
95J1K0
RLR07C6804FRRSL
RNC55J3023BSB14
RNC55J3033BSB14
RNC55J3033BSRE6
RNC55J3103BSB14
RNC55J3223BSB14
RNC55J3303BSB14
RNC55J3503BSB14
RNC55J3603BRB14
RNC55J3603BSB14
RNC55J3903BSB14
RNC55J4433BSR36
RNC55J4433BSRE6
RNC55J4463BSB14
