产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 50A02CH-TL-E
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 120mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 10mA,2V
- 供应商器件封装 :
- 3-CPH
- 功率 - 最大值 :
- 700 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 690MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
8N4DV85KC-0009CDI
8N4DV85KC-0009CDI8
8N4DV85KC-0010CDI
8N4DV85KC-0010CDI8
8N4DV85KC-0011CDI
8N4DV85KC-0011CDI8
8N4DV85KC-0012CDI
8N4DV85KC-0012CDI8
8N4DV85KC-0013CDI
8N4DV85KC-0013CDI8
8N4DV85KC-0014CDI
8N4DV85KC-0014CDI8
8N4DV85KC-0015CDI
8N4DV85KC-0015CDI8
8N4DV85KC-0016CDI
8N4DV85KC-0016CDI8
8N4DV85KC-0017CDI
8N4DV85KC-0017CDI8
8N4DV85KC-0018CDI
8N4DV85KC-0018CDI8
