产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT2222ALT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 40 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
D55342E07B3B12RTS
D55342H07B221DMTS
D55342E07B4E53RTS
D55342E07B3B01PTS
D55342K07B22E1RBSV
D55342E07B165ERTS
D55342E07B109ARWS
D55342H07B226DMTS
D55342K07B312ARWS
D55342K07B22E1RTSV
D55342K07B6E00RTSV
D55342E07B909AMTS
D55342E07B249APTS
D55342E07B909BRTS
D55342E07B7B39RTS
D55342K07B1B02MBS
D55342E07B68E1MWS
D55342K07B49B9MTS
D55342K07B328ARWS
D55342H07B225ARTS
