产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SAR513PT100
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 25mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 50mA，2V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 400MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342H11B3B24RTS
M55342E11B51E0RTS
M55342H11B3B92RWS
M55342K11B24B0RTS
M55342E11B100ARTS
M55342K11B6E65RWSV
M55342E11B83A5RWS
M55342E11B8B87RTS
M55342E11B88A7RWS
M55342K11B93A1RWS
M55342H11B3E30RTS
M55342H11B37D0RBS
M55342E11B100EMTS
M55342E11B1E21RTS
M55342K11B330DRWSV
M55342E11B10B2RWS
M55342E11B316ARTS
M55342E11B1E00RWS
M55342E11B1B74RTS
M55342H11B44E2RWS
