产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MJD112G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 3V @ 40mA，4A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 1000 @ 2A，3V
- 供应商器件封装 :
- DPAK
- 功率 - 最大值 :
- 1.75 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 20µA
- 频率 - 跃迁 :
- 25MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RWR81S1240FRBSL
RWR81S1210FRRSL
RWR81S1210FRBSL
RWR81S1210FPRSL
RWR81S1210FPBSL
RWR81S1210FMRSL
RWR81S1210FMBSL
RWR81S1050FRBSL
RWR81S1R78FRRSL
RWR81S1R78FRBSL
RWR81S1R70FRRSL
RWR81S1R70FRBSL
RWR81S1R74FRRSL
RWR81S1R74FRBSL
RWR81S1R87FRRSL
RWR81S1R87FRBSL
RWR81S1R82FRBSL
RWR81S1R82FRRSL
RWR81S1R54FRRSL
RWR81S1R54FRBSL
