文档与媒体
- 数据列表
- BC858C_R1_00001
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 330 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -50°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
KMG25VB33RM5X11LL
KMG25VB47RM5X11LL
KMG25VB101M6X11LL
KMG25VB221M8X11LL
KMG25VB331M8X11LL
KMG25VB471M10X12LL
KMG25VB102M10X20LL
KMG25VB222M12X25LL
KMG25VB332M16X25LL
KMG25VB472M16X31LL
KMG25VB682M18X35LL
KMG35VB4R7M5X11LL
KMG35VB10RM5X11LL
KMG35VB22RM5X11LL
KMG35VB33RM5X11LL
KMG35VB47RM5X11LL
KMG35VB101M6X11LL
KMG35VB221M8X11LL
KMG35VB331M10X12LL
KMG35VB471M10X16LL
