产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SCR563F3TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 150mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 500mA，3V
- 供应商器件封装 :
- HUML2020L3
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-UDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 6 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73F1JTTD9531B
RS73G1JTTD6981C
RS73G1JTTD8060C
RS73G1JTTD5363C
RS73G1JTTD2740C
RS73G1JTTD6043C
RS73G1JTTD9313C
RS73G1JTTD2262C
RS73G1JTTD6803C
RS73G1JTTD1783B
RS73G1JTTD2212B
RS73G1JTTD3242B
RS73G1JTTD3922B
RS73G1JTTD1270C
RS73G1JTTD9762C
RS73G1JTTD2802C
RS73G1JTTD1102C
RS73G1JTTD9100C
RS73G1JTTD2800C
RS73G1JTTD1692B
