产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SA1416T-TD-E
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 40mA,400mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 100mA,5V
- 供应商器件封装 :
- PCP
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342K11B1E37RT0V
M55342K11B1E50RT0V
M55342K11B866DPT0V
M55342K11B100DRT0V
M55342K11B10B1RT0
M55342K11B715DRT0V
M55342K11B2E49RT0V
M55342K11B33D2RT0V
M55342K11B619DRT0V
M55342K11B100ART0
M55342K11B69E8RT0V
M55342E11B953ART0
M55342K11B910DRT0V
M55342K11B34D8RT0V
M55342E11B140ART0
M55342E11B9B76RT0
M55342E11B221ART0
M55342E11B64B0RT0
M55342E11B64B9RT0
M55342E11B14B0RT0