文档与媒体
- 数据列表
- PBSS5260QAZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 30 @ 1.7A，2V
- 供应商器件封装 :
- DFN1010D-3
- 功率 - 最大值 :
- 325 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-XDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1.7 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GRT0335C1H360GA02D
GRT0335C1E240GA02D
GRT0335C1H110GA02D
GRT0335C1H101GA02D
GRT0335C1E300GA02D
GRT0335C1H910GA02D
GRT0335C1H200GA02D
GRT0335C1H560GA02D
GRT0335C1E390GA02D
GRT0335C1H470GA02D
GRT0335C1H120GA02D
GRT0335C1H160GA02D
GRT0335C1H240GA02D
GRT0335C1E510GA02D
GRT0335C1E330GA02D
GRT0335C1E130GA02D
GRT0335C1E110GA02D
GRT0335C1E120GA02D
GRT0335C1E910GA02D
GRT0335C1H820GA02D
