文档与媒体
- 数据列表
- BC856BQBZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 220 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- DFN1110D-3
- 功率 - 最大值 :
- 340 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳 :
- 3-XDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RC0402FR-0715R8L
RC0603FR-07113RL
RMCF0201FT39R2
RK73H2BTTD1691F
CRCW02011M40FNED
RMCF1206FT1K78
RK73H1HTTC1201F
AC0603FR-07169KL
RK73B2BTTD102G
CRCW0201330RFNED
RC1206FR-0721K5L
ERJ-1GEF20R0C
RK73H1HTTC6651F
AC0603FR-1022KL
CRCW020136R5FNED
RK73H2BTTD6193F
CRCW04023R90FKED
RMCF0402FT13R0
RC0201JR-073M6L
RK73B2BTTD912J
