产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT6521LT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 2mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 25 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNC50H6190FSRE731
RNC50H2103FSRE831
RNC50H26R7FSRE731
RNC50H1542FSRE631
RNC50H6492FSRE631
RNC50H8062FSRE731
RNC50H26R7FSRE631
RNC50H8061FSRE731
RNC50H2432FSRE731
RNC50H1021FSRE731
RNC50H8061FSRE831
RNC50H1020FSRE831
ERC50107K00FEEB500
ERC50150K00FEEB500
ERC5011K300FEEB500
ERC5019K600FEEB500
ERC50200K00FEEB500
ERC5010K700FEEB500
ERC50200R00FEEB500
ERC50105K00FEEB500
