产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SMMBTA56LT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 100mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
0603J0251P80CFT
0603J0251P80DCR
0603J0251P80DFR
0603J0251P80DFT
0603J0252P20BCR
0603J0252P20BFR
0603J0252P20BFT
0603J0252P20CCR
0603J0252P20CFR
0603J0252P20CFT
0603J0252P20DCR
0603J0252P20DFR
0603J0252P20DFT
0603J0252P70BCR
0603J0252P70BFR
0603J0252P70BFT
0603J0252P70CCR
0603J0252P70CFR
0603J0252P70CFT
0603J0252P70DCR
