文档与媒体
- 数据列表
- PBHV8560ZX
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 100mV @ 5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 70 @ 50mA,10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 650 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RGC1/10C8252FTP
RGC1/10C1402FTP
RGC1/10C4423FTP
RGC1/10C6043FTP
RGC1/10C2001FTP
RGC1/10C3003FTP
RGC1/10C2152FTP
RGC1/10C3090FTP
RGC1/10C6R80FTP
RGC1/10C28R0FTP
RGC1/10C5230FTP
RGC1/10C3481FTP
RGC1/10C1963FTP
RGC1/10C1151FTP
RGC1/10C5600FTP
RGC1/10C14R7FTP
RGC1/10C8253FTP
RGC1/10C3401FTP
RGC1/10C2940FTP
RGC1/10C1273FTP
