产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSS1C200LT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 50mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 490 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
E2E-X16MB212-M1TJ 0.3M
E2E-X16MB212-R 2M
E2E-X16MB1D12-M1TJ 0.3M
E2E-X16MB1D12-R 2M
E2E-X16MB1T12-M1TJ 0.3M
E2E-X16MB1T12-R 2M
E2E-X16MB1DL12 5M
E2E-X16MB1TL12 5M
E2E-X9C2L12 5M
E2E-X9C212-M1TJ 0.3M
E2E-X9C212-R 2M
E2E-X9C1L12 5M
E2E-X9C112-M1TJ 0.3M
E2E-X9C112-R 2M
E2E-X9B2L12 5M
E2E-X9B212-M1TJ 0.3M
E2E-X9B1D12-R 2M
E2E-X9B1T12-M1TJ 0.3M
E2E-X9B1T12-R 2M
E2E-X9B1DL12 5M
