产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC857BHZGT116
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 210 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SST3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73P1ETTP5621F
SG73P1ETTP5761F
SG73P1ETTP5901F
SG73P1ETTP6041F
SG73P1ETTP6191F
SG73P1ETTP6201F
SG73P1ETTP622G
SG73P1ETTP6341F
SG73P1ETTP6491F
SG73P1ETTP6651F
SG73P1ETTP6801F
SG73P1ETTP682G
SG73P1ETTP6811F
SG73P1ETTP6981F
SG73P1ETTP7151F
SG73P1ETTP7321F
SG73P1ETTP7501F
SG73P1ETTP752G
SG73P1ETTP7681F
SG73P1ETTP7871F
