产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSS60600MZ4T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 600mA，6A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 1A，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223（TO-261）
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 6 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GRM1556R1H120GZ01D
GRM1556R1H120JZ01D
GRM1556R1H130GZ01D
GRM1556R1H130JZ01D
GRM1556R1H150GZ01D
GRM1556R1H150JZ01D
GRM1556R1H160GZ01D
GRM1556R1H160JZ01D
GRM1556R1H180GZ01D
GRM1556R1H1R0CD01D
GRM1556R1H1R1CD01D
GRM1556R1H1R2CD01D
GRM1556R1H1R3CD01D
GRM1556R1H1R4CD01D
GRM1556R1H1R5CZ01D
GRM1556R1H1R6CZ01D
GRM1556R1H1R7CZ01D
GRM1556R1H1R8CZ01D
GRM1556R1H1R9CZ01D
GRM1556R1H200GZ01D
