产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT5088LT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 100µA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 50 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RT0603BRD07931KL
RT0603BRD07732KL
RT0603BRD07910KL
RT0603BRD07953KL
RT0603BRD07909KL
RT0603BRD07787KL
RK73H2ETTD2R10F
RK73H2ETTD6R80F
RK73H2ETTD5R49F
RK73H2ETTD9R76F
RK73H2ETTD1R15F
RK73H2ETTD8R06F
RK73H2ETTD2R26F
RK73H2ETTD4R42F
RK73H2ETTD6R49F
RK73H2ETTD4R32F
RK73H2ETTD8R25F
RK73H2ETTD7R87F
RK73H2ETTD2R15F
RK73H2ETTD5R60F
