产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT5088LT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 100µA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 50 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA1206A1R0DBEAT31G
GA0805A180FEEAI34G
GA0805A3R9BBAAT31G
GA0805A560KEAAO34G
GA1206A470FBAAT31G
GA1206A180GBAAT31G
GA0805A8R2DEBAI34G
GA1206A220KELAR34G
GA1206A560GBLAT31G
GA1206A330KBEAR31G
GA0402A2R7BEXAI34G
GA0603A100FECAI34G
TMK021CG150JK-W
TMK021CG120JK-W
TMK021CG2R2CK-W
TMK021CG1R8CK-W
TMK021CG010CK-W
TMK021CG1R5CK-W
TMK021CG220JK-W
TMK021CG3R9CK-W
