数据列表

PDTB113ZS,126

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

300mV @ 2.5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

70 @ 50mA，5V

供应商器件封装 :

TO-92-3

功率 - 最大值 :

500 mW

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

晶体管类型 :

PNP - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

500 mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电阻器 - 发射极 (R2) :

10 kOhms

电阻器 - 基极 (R1) :

1 kOhms

频率 - 跃迁 :

-