产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BCR192WE6327HTSA1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 500µA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 70 @ 5mA,5V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT323
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70,SOT-323
- 晶体管类型 :
- PNP - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 47 kOhms
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 22 kOhms
- 频率 - 跃迁 :
- 200 MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C8051F986-C-GMR
C8051F850-C-IMR
EFM32ZG108F32-B-QFN24R
EFM32ZG110F8-B-QFN24R
R5F51113ADLF#UA
R5F104BGGFP#50
R5F104LCGFA#50
R5F51113ADFM#1A
R5F51113ADFM#5A
R5F51113ADFK#5A
R5F51113ADFK#1A
R5F10WMAGFB#50
R5F104CDGLA#W0
R5F11BLEGFB#50
R5F104CDGLA#U0
R5F1006CASP#10
R5F10WMAGFB#10
R5F100JGAFA#10
R5F104BGGFP#10
R5F104LCGFA#10
