产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BCR148E6433HTMA1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 500µA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 70 @ 5mA,5V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT23
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 晶体管类型 :
- NPN - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 47 kOhms
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 47 kOhms
- 频率 - 跃迁 :
- 100 MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
D55342K07B4B99RT3
D55342K07B3B48MT3
D55342K07B51B1RT3
D55342K07B2B21MT3
D55342K07B42B2RT3
D55342K07B8B87MT3
D55342K07B8B66MT3
D55342K07B1K62RT3V
D55342K07B7B50MT3
D55342K07B1E54RT3V
D55342K07B876ART3
D55342K07B14B7MT3
D55342K07B2E40RT3V
D55342K07B200AMT3
D55342K07B5B97MT3
D55342K07B1K00RT3V
D55342K07B13B3MT3
D55342K07B15B0RT3
D55342K07B27B0RT3
D55342K07B154DMT3V