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2N5460G

FET 类型 :

P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

1 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

7pF @ 15V

供应商器件封装 :

TO-92（TO-226）

功率 - 最大值 :

350 mW

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3 长体

工作温度 :

-65°C ~ 135°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

-

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

40 V

电阻 - RDS(On) :

-